南韓學者解析 陸半導體發展不容小覷

南韓頂尖半導體學者之一、成均館大學化工系教授權錫俊（音譯）表示，不應輕視中國大陸半導體產業的長期潛力，他認爲，就算受到美國出口管制的阻撓，中國大陸仍可能在2030年代中期左右，獲得能力接近極紫外光（EUV）微影設備的先進半導體制造裝備。

他4日接受韓媒採訪時表示：「我們不應高估，也不應低估中國的技術能力。我們需要冷靜且客觀地進行評估。」

權錫俊說：「在產業轉型期間，曾經看似不可能被採用的技術可能會突然浮現。這就是所謂的顛覆性創新。中國的電動車就是一個代表性的例子。中國選擇電動車作爲克服美國和日本在內燃機汽車領域建立長期『護城河』的一種方式，結果發展出世界級的技術能力。同樣的事情沒有理由不會發生在半導體領域。」

權錫俊也說：「現在每個人都說，沒有EUV就不可能實現5奈米以下的製程。但正因如此，由艾司摩爾（ASML）壟斷的EUV，也易受到破壞性創新的影響。中國基於加速器的光源技術，可能成爲繼EUV之後的下一代技術，最快可能在2030年代中期出現原型機。一旦發生，即使中芯國際仍落後臺積電（2330）和三星電子約十年，最終仍可能進入個位數奈米制程領域。」