力積搶缺貨商機 展開DRAM製程精進計畫

力積電。聯合報系資料照

晶圓代工廠力積電（6770）昨（21）日宣佈，上週與美光簽訂合作意向書後，力積電隨即展開DRAM製程精進計劃，以迴應下游記憶體IC設計客戶發展容量更高、速度更快DRAM的強勁需求，爭取缺貨價揚商機。

力積電董事長黃崇仁指出，美光將以預付貨款方式，預約力積電的高頻寬記憶體（HBM）後段晶圓製造（PWF）產能，將力積電正式納入其HBM供應鏈。

業界認爲，力積電瞄準的是美光HBM堆疊（Stacking）技術外包，因爲力積電過去在CIS累積相當經驗，加上也有記憶體與邏輯晶片堆疊的產品藍圖，非常適合切入這個領域。

力積電指出，目前旗下新竹12吋晶圓廠區擁有每月5萬片記憶體產能，主要以2x奈米制程爲客戶提供DRAM、Flash代工服務。由於全球DRAM市場因AI應用爆發，出現長期供不應求趨勢，力積電近月以來感受到客戶端的強大需求壓力，因此決定啓動提升記憶體制程的新投資計劃。

力積電錶示，爲爭取時效，董事會已於日前針對投資新設備提升DRAM製程的規畫通過增資案，配合銅鑼廠售予美光、雙方策略合作的合約在第2季簽訂，待力積電今年度股東常會通過後，將根據經營團隊的規劃儘速展開設備採購作業，將P3廠現有月產逾3萬片的DRAM進行生產線的升級。

力積電透露，根據與美光簽署的意向書，力積電除了將長期提供美光DRAM後段先進封裝代工服務之外，美光也將協助力積電P3廠的DRAM製程精進，這項技術提升計劃的快速執行，能讓力積電的DRAM代工製程穩健推進。