日本喊建三座半導體基地 以臺積電、Rapidus 為核心 打造生態系

日本政府將興建三座具備人工智慧（AI）半導體高階設計軟體與開發工具的設施，這是東京當局打造國內半導體生產體系的一環，該體系將以臺積電（2330）和Rapidus爲核心。

日本媒體報導，日本經濟產業省考慮2026年秋季在東京開設聚焦於晶片設計的首座設施，這座中心將專攻控制機器人和機械的物理AI等應用，並主打自動化設計工具、運算伺服器和技術專家支援。

第二座中心將坐落在北海道千歲市，鄰近本土晶片製造商Rapidus旗下製造工廠，預計2029年度啓用。這座中心專職設備與原料，將擁有荷蘭艾司摩爾公司（ASML）旗下最新極紫外光微影（EUV）設備。

日本也打算興建化合物半導體測試中心，這類半導體與使用矽晶圓的傳統晶片不同，使用含有多種元素的原料，以高速和低耗電量聞名，這座設施將具備能測試不同原料的工具。

日本政府計劃斥資1,306億日圓（8.39億美元）打造這些設施，產業技術綜合研究所也會提供資金。東京當局目標是確保企業與研究機構，能以負擔得起的費用使用這些中心。這些設施將以相對低的價格，開放給投入晶片設計、製造設備和半導體業原料領域企業及大學。

日本計劃藉由開發新半導體中心，培育可望成爲臺積電和Rapidus供應商的業者。如國內有能設計AI晶片的公司，這些業者可能成爲把生產外包給Rapidus的珍貴客戶。培養與尖端半導體制造相容的設備和原料製造商，可使日本站在收復及擴張全球市佔率的有利地位。

半導體技術最先進領域研發成本攀升，導致企業難以憑一己之力投資。設計支援工具等裝置和一部下一代微影設備，都可能要價數千萬美元，日本將負擔部分成本以奠定民間部門創新根基。臺積電和Rapidus已獲得豐厚補貼，日本本土尖端半導體量產能力逐漸成形。

日本企業在AI半導體設計領域處於落後，該領域由輝達等美國企業主宰。即便在日本過去表現突出的製造設備和原料領域，市佔率也不斷被中國大陸競爭對手搶走。一些人把日本半導體業沒落歸咎於單打獨鬥的策略，與海外企業和研究機構合作，對日本新半導體中心而言至關重要。