集邦：力積電一年內可望拿下美光1Y nm授權 DDR4升級動能先啟動

研調機構集邦19日指出，美光（Micron）與晶圓代工廠力積電（6770）的合作案有助美光加速補齊先進製程DRAM產能，也可望提升力積電成熟製程DRAM供應，預估2027年全球DRAM產業供給將有上修空間。

集邦分析，2025年下半年以來，ASIC與AI推論需求分別帶動HBM3e、DDR5需求並推升整體DRAM利潤率，促使美光加快擴產腳步。此次收購內容涵蓋銅鑼廠土地、廠房與無塵室，美光預期將於2026至2027年分批移入既有及新訂購設備，且以DRAM先進製程前段設備爲主，目標在2027年投入量產；初步估計，銅鑼一期在2027年下半年可貢獻的產能，將相當於美光2026年第4季全球產能的10%以上。

就產業版圖而言，2025年第3季美光全球DRAM營收市佔率25.7%、排名第三。集邦指出，因AI帶動HBM、DDR5、LPDDR5X等先進DRAM需求，美光除持續推進美國ID1、新加坡HBM後段產能建設，也透過收購廠房縮短建置時程；在銅鑼案之前，美光已在臺灣陸續取得多處廠房，做爲晶圓測試、金屬化、HBM TSV等用途，並規劃將部分新加坡NAND無塵室改作DRAM金屬化產能。

至於力積電方面，其現有DRAM產能主要採25nm、38nm製程，使DDR4產線暫停留在較小容量產品；在與美光簽署合作意向書後，力積電預計未來一年內可取得美光授權1Y nm製程，後續亦有機會再取得1Z nm製程授權，將可支援提升DDR4產品容量，有利力積電在消費型DRAM市場維持製程競爭力、擴大位元產出，同時避免與美光先進產品線正面競爭。