AI需求火熱推升記憶體吃緊　SK海力士調整產線、HBM4時程恐生變

▲SK Hynix。（圖／路透社）

記者高兆麟／臺北報導

隨着 AI 伺服器與生成式應用推動記憶體需求急速升溫，全球 DRAM 與 HBM 供應同步吃緊。根據日媒日經新聞報導，韓國 SK 海力士會長崔泰源近日在公開論壇指出，公司正加速調整利川 M15、M16 兩座晶圓廠的產線配置，預計 2026 年標準型 DRAM 產能將較今年增加逾一成，以因應市場的結構性缺口。產業人士則觀察，這波供給壓力可能延後原訂 2026 年登場的下一代 HBM4 技術時程。

SK 海力士在高頻寬記憶體市場佔據領先地位，市佔比長期維持在 7 成以上，併爲輝達（NVIDIA）等 AI 大廠主要供應商，近期因記憶體短缺議題浮上臺面，再度成爲全球 AI 供應鏈的焦點。

崔泰源表示，AI 加速導入帶來前所未見的記憶體需求，公司已在 2022 至 2027 年期間投入超過 106 兆韓圜擴充產能，而利川廠區也持續微調產能配置，希望兼顧標準型 DRAM 與 HBM 的供應能力。

不過，市場推估，HBM 需求爆發導致產能資源高度集中，加上 DRAM 缺貨幅度擴大，恐壓縮 SK 海力士新世代 HBM4 的量產準備進度，使 2026 年的產品時程面臨變數。

目前各類記憶體價格已呈現上行走勢，標準型 DRAM 供給吃緊，正使智慧手機與家電等消費端成本面臨壓力。分析機構預估，伺服器用 DRAM 到 2025 年底的營業利益率可望突破七成，明年價格仍有續強空間。

在 DRAM 市佔版圖上，SK 海力士今年首季首度超越三星，成爲全球最大供應商，兩大韓廠的擴產競賽加速升溫。業界預期，2026 年 DRAM 供應量有望出現雙位數成長，有助舒緩供需失衡，但短期內的缺貨壓力恐仍難以完全化解。